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IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

发布时间:2020-07-01 01:58:27 阅读: 来源:管道泵厂家

日前,英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产,128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。

本文引用地址:纳米制程之128GB NAND Flash由英特尔与美光合资成立之IMFT所发展出来。该128GB NAND Flash为多层(multilevel)单元,英特尔与美光并未透露一个单元含有多少位(bit)。128GB NAND Flash首次采用平面式单元结构(planar cell structure),该结构将高K金属栅极(High-K Metal Gate;HKMG)技术整合至NAND制作过程,突破传统NAND Flash技术的传统浮动闸(Floating Gate)架构。

20纳米制程的128GB NAND Flash可实现1秒333MT(megatransfer)的速度,并于未来应用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)与固态硬盘。

其他NAND Flash大厂也动作频频,如三星电子(Samsung Electronics)已对外宣布10纳米闪存研发完成,并计划在大陆兴建新的20纳米闪存生产线,一旦建厂获得批准,建厂也如期完工,新产线将于2013年投入量产。 而日本大厂东芝(Toshiba)则将3座模拟芯片厂关闭,并将资源投注于NAND Flash研发。

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